（イラスト：Getty images）
出典：日経エレクトロニクス、2019年10月号 pp.26-27
記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります。
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Breakthrough
強いSiに勝てるか
SiC/GaN/Ga2O3の今
三宅 常之＝日経 xTECH／日経エレクトロニクス
目次
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安さと総合力のSiに、長期戦で挑む新型
第1部：Si vs 新型パワー素子
低損失で高耐圧、冷却装置や受動部品を小型・安価にする─。SiCやGaNといった新型パワー半導体が、その特徴を強みにEV（電気自動車）や電車、産業機器、家電などの市場に入り始めた。しかし既存のSiパワー半導体の競争力は依然として高く、新型への世代交代が一気に進む気配はない。新型はSiとの長期戦に臨み…
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Siは高温対応と300mm化、新型はコスト削減が急務に
第2部：技術・事業の最前線
EV（電気自動車）をはじめとする電動化によって急拡大が見込まれるパワー半導体市場。メーカー各社は、増産投資に踏み切るとともに、新技術の開発を加速している。既存のSiではSiCやGaNに対抗できる技術やさらなる低コスト化のために大口径化を急ぐ。新型では、信頼性を確立するとともに、コスト競争力を高める…
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テスラ新EVにSiCと新制御、GaNは電動航空機を狙え
第3部：「Model 3」を分解・解析
GaN/SiCパワー半導体を応用したインバーターなどの研究を進めている名古屋大学 教授の山本真義氏（未来材料・システム研究所）が、米Teslaの新型EV「Model 3」など市販車に搭載のパワーエレクトロニクスモジュールを分解した。同社の設計思想を解読すべく、挑戦的な回路技術を詳説する。GaNパワ…
