2018年12月に米国で開催された電子デバイス技術の旗艦学会「2018 IEDM」における注目の発表を東北大学 准教授の黒田理人氏が解説する。注目したのは、半導体集積回路・デバイス・プロセス技術に関する最新成果だ。次世代メモリーMRAM(Magnetic RAM)、次々世代の「GAA」プロセス、低オン抵抗パワーの半導体、広ダイナミックレンジCMOSセンサーの提案などである。 (本誌)

 「2018 IEDM(64th International Electron Devices Meeting)」のテーマは「Device Breakthroughs from Quantum to 5G and Beyond」だった。量子コンピューターから5G(第5世代移動通信システム)とその先を見据えたデバイスの革新を目指したものだ。参加者数は1831人に上り、ここ10年間で最多だった2017年の参加者数を100人近く上回った。

 筆者は、東北大学にて半導体集積回路・イメージセンサー分野のデバイス・プロセス技術の研究に従事している。今回のIEDMでは広報分野の副責任者Publicity Vice-Chairを務めた。以下、今回、参加者の注目を集めた発表を紹介していく。

盛り上がりを見せるメモリー

 今回のIEDMの特徴の1つは、メモリー関連の先進技術が多かった点だ。高性能メモリーが切り開く脳型コンピューティング技術、米Intel(インテル)や韓国Samsung Electronics(サムスン電子)などによる混載MRAM(Magnetic RAM)搭載の半導体プラットフォーム(製造基盤)技術などの発表が話題を集めた。高速アクセスと大容量を両立したSCM(Storage Class Memory)、NANDフラッシュメモリーやDRAMの次世代技術、そして強誘電性HfO2(ハフニウム酸化膜)によって再び盛り上がりを見せる強誘電体メモリー技術についても注目の発表が相次いだ。

 先端ロジック技術については、今後の方向性を示唆する発表が見られた。EUV(Extreme Ultraviolet)露光装置の量産化技術、Samsungによる“3nm世代”GAA(Gate-All-Around)型トランジスタ構造のプラットフォーム、300mmウエハーでの連続的な3次元集積化などである。

 メモリーやロジックの微細化を進める「More Moore」技術に加えて、微細化以外の方向性で価値を付加する「More than Moore」技術でもパワーデバイスの性能向上や高性能・高機能イメージセンサー技術についての発表が人目を引いた。

この先は有料会員の登録が必要です。「日経エレクトロニクス」定期購読者もログインしてお読みいただけます。有料会員(月額プラン)は初月無料!

日経 xTECHには有料記事(有料会員向けまたは定期購読者向け)、無料記事(登録会員向け)、フリー記事(誰でも閲覧可能)があります。有料記事でも、登録会員向け配信期間は登録会員への登録が必要な場合があります。有料会員と登録会員に関するFAQはこちら