写真:日立製作所
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 日立製作所は2018年8月30日、炭化ケイ素(SiC)を用いた「TED-MOS(Trench-Etched Double Diffused MOSFET)」と呼ぶ素子構造のEV用インバーター向け耐圧1.2kVのパワー半導体を開発したと発表した。

 既存のSiCを用いたMOSFETに比べて損失を約1/2に低減した上に、従来はトレードオフの関係にあった電流オン時の電気抵抗(オン抵抗)値の低減と耐久性の向上を両立させたとする。パワーモジュールの形で2022年の量産を目標に開発を進めていくという。

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