次世代パワー半導体素子に使われるSiC(炭化ケイ素)に関する国際会議「ICSCRM 2019(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019)が、2019年9月29日に始まった(図1)。同日までの登録者数は1000人超。これまで最高だった600~650人を大幅に上回った。初日はチュートリアルセッションのみで、9月30日から10月4日まで、基調講演と招待・一般セッション、ポスターセッションが合わせて約400件ある。

図1 「ICSCRM 2019」は国立京都国際会館(京都市)で10月4日まで開催
(写真:日経 xTECH)
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 9月30日のオープニングアドレスでは、オーガナイジング・コミッティー・チェアーを務めている京都大学教授の木本恒暢氏が、参加者数が過去最高となったことに加え、29のスポンサー、76の展示会スペースへの出展があったことも述べた。大学のみならず、企業からの発表が多く、産業界のSiCへの関心の高さをうかがわせる。

 SiCは、パワー半導体として使うと、既存のSiを使う場合に比べて、電力効率を高く、機器を小型にできる。次世代パワー半導体材料として、一部の応用から普及し始めている(関連記事「強いSiに勝てるか、SiC/GaN/GaOの今」)。今回のICSCRMでは、SiCのさらなる普及につながる研究成果が相次ぐ。

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