SiCダイオードやSiCトランジスタといったパワー素子や、同素子を搭載したパワーモジュールなど、SiCパワーデバイスを手掛ける企業が増加傾向にあり、主導権争いが激化している。2019年5月開催の「PCIM Europe 2019」では、パワーデバイス(パワー半導体)最大手のドイツInfineon Technologiesと、パワーモジュール、特に駆動回路などを内蔵した「IPM」で高いシェアを持つ三菱電機がそれぞれ、プレスカンファレンス(報道機関向け発表会)などを開催してSiC製品をアピールした。

プレスカンファレンスに登壇したインフィニオン Industrial Power Control(IPC)部門でPresidentを務めるPeter Wawer氏(撮影:日経 xTECH)
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 インフィニオンはSiCパワーデバイスに関して、ディスクリート(個別)品からモジュール品まで幅広く力を入れている。今回のPCIM Europeでは、特にディスクリート(個別)製品のラインアップをアピールした。同社が手掛けるSiCトランジスタはSiC MOSFETである。

 SiC MOSFETのディスクリート品は、大別して、耐圧1200V品と同650Vの2つのラインアップがある。耐圧1200V品では、さらに3種類のパッケージを用意。3端子のTO-247パッケージと4端子のTO-247パッケージ、表面実装に対応する7端子のD2PAKである。TO-247パッケージ品は3端子品と4端子品はいずれも販売中で、D2PAKは2019年第4四半期のサンプル出荷を予定する。耐圧650V品では、3端子のTO-247パッケージと4端子のTO-247パッケージの2種類を用意。いずれも、2019年第4四半期のサンプル出荷を予定している。

ブースに出展したSiC MOSFETのディスクリート品。左から、3端子のTO-247品と4端子のTO-247品、7端子のD2PAK(TO-263)品(撮影:日経 xTECH)
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