「ISSCC 2019(International Solid-State Circuits Conference 2019)」(2月17日~21日に米国サンフランシスコで開催)のメモリーに関しては、全36件の投稿があり、その中から採択された14件が3つのセッションで発表された。3つのセッションは「Session 13 :Non-Volatile Memories」、「Session 23 : DRAM」および「Session 24 : SRAM & Computation-In Memory」である。筆頭発表者の所属組織で見ると、アジア(韓国、台湾、日本)からの採択件数が11件と例年通り大多数を占めた。

 NANDフラッシュメモリーについては大容量化や高速化、DRAMではLPDDR5やDDR5の新高速規格を実現したチップの発表があり、産業的に大きなインパクトを持つ両メモリーの技術開発が着実に進展していることが示された。ただし、プロセスルールはDRAMが10nmクラス、SRAMは7nmであり、既発表に対して進展はなかった。

 また、昨年に引き続いて機械学習へのメモリー技術の応用がメモリー関連セッションの中で取り上げられ、メモリーセルの選択情報とその保持値によりメモリー内で演算を行うCIM(Computation-In Memory)技術に関する発表がSRAM技術と合同のセッションで行われた。加えて、Emerging Memoryでは高速ロジックプロセスにMRAMやReRAMをそれぞれ混載した発表が行われたことが注目される。

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