パワー半導体最大手のドイツInfineon Technologies(インフィニオン・テクノロジー)は、エレクトロニクスの展示会「electronica 2018」(2018年11月13~16日、ドイツ・ミュンヘン)の開催前日に開かれたカンファレンス「electronica Automotive Conference」で、SiC MOSFETがどのような電動車両に向くのか、その見解を示した。登壇したのは、同社IFAG ATV HP IET, Automotive High Power, Innovation & Emerging Technologies, Vice PresidentのMark Münzer氏である。

講演するInfineonのMünzer氏(撮影:日経 xTECH)
[画像のクリックで拡大表示]

 現在、ハイブリッド車(HEV)や電気自動車(EV)といった電動車両では、駆動用モーターを動かすインバーターにSi IGBTを利用することが主流になっている。そのSi IGBTに比べて、インバーターの電力損失を大幅に低減できるパワー素子がSiC MOSFETである。だが、Si IGBTに比べてコストが高い。

 そこで、インバーターと2次電池を合わせた「システムコスト」として、SiC MOSFETとSi IGBTで、どちらが全体のシステムコストを下げられるのか、議論の的になっている。SiC MOSFETは、低損失な分、同じ航続距離ならば車載2次電池の容量を小さくできる。すなわち、電池容量の削減によるコストダウン分が、SiC MOSFETのコストアップ分を上回ってから、SiC MOSFETを適用する意味がある。

この先は有料会員の登録が必要です。有料会員(月額プラン)は初月無料!

日経 xTECHには有料記事(有料会員向けまたは定期購読者向け)、無料記事(登録会員向け)、フリー記事(誰でも閲覧可能)があります。有料記事でも、登録会員向け配信期間は登録会員への登録が必要な場合があります。有料会員と登録会員に関するFAQはこちら