英Arm(アーム)社は、「業界初」(同社)のIC埋め込みMRAMメモリーブロックのジェネレーターを開発した(ニュースリリース)。韓国Samsung Electronics(サムスン)社の半導体受託製造事業である「Samsung Foundry」の28nm FD-SOIプロセス「28FDS」(関連記事1)で利用できる。

55th Design Automation Conference(DAC 2018)のSamsungのブースに展示された、28FDSのウエハー。日経 xTECHが撮影
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 メモリー・ブロック・ジェネレーターとは、語構成などのパラメーターを入力すると、特定のプロセスに最適化したメモリーブロックの設計データ(GDS-II形式のマスクレイアウトなど)を自動生成するソフトウエアである。Samsung Foundryはバルクウエハーを使う一般的なCMOSプロセスに加えて、FD-SOIウエハーを使うCMOSプロセスも用意している。先端のバルクCMOSプロセスでは集積が難しいフラッシュメモリーの代わりにMRAMを集積したり、RF回路を集積したり、さらにバックバイアス機能などでFD-SOIプロセスを特徴付けている。

SamsungのFD-SOIプロセスのロードマップ。同社のスライド
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 今回ArmがMRAMのメモリー・ブロック・ジェネレーターを用意したことで、28FDSの使い勝手が向上すると期待される。Armによれば、不揮発性のメモリーブロックをフラッシュで埋め込もうとすると、12枚以上のマスクの追加が必要で、かつ40nm以上の微細化していないプロセスを使う必要があるという。一方、28FDSでMRAMメモリー・ブロックを埋め込む場合は追加のマスクは3枚で済み、40nmより微細な28nmプロセスが使える。また、MRAMならば、フラッシュのみならずEEPROMの代替が可能で、低速なSRAM/データバッファーとして扱うこともできるため、コストと消費電力に敏感なIoTアプリケーション向けに最適だとする。Armは既にMRAMのメモリー・ブロック・ジェネレーターのテストチップをテープアウト済みである。

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