パワー半導体最大手のドイツInfineon Technologies(インフィニオン・テクノロジーズ)が、GaNパワー素子の量産を2018年第4四半期に始める。GaNパワー素子の製品化はこれまで、SiのパワーMOSFETのような低耐圧のパワー素子を手掛けるアナログ半導体企業や、新興企業が中心だった。Infineonのように、Si IGBTのような中耐圧以上のパワー素子を得意とする大手企業がGaNパワー素子を量産するのは珍しい。パワー半導体最大手がGaNパワー素子の量産を始めることで、同素子の開発競争が活発になりそうだ。

 Infineonは、GaNパワー素子を業界に先駆けて製品化した米International Rectifier(IR)を2014年に買収することを表明し、2015年1月に完了した(関連記事)。続いて、同年3月にパナソニックからGaNパワー素子のライセンスを受けたことから、同素子の事業戦略について注目が集まっていた(関連記事)。だが、大まかな開発方針やデモ展示はするものの、具体的な製品の量産計画やラインアップについて明かしていなかった。今回のGaNパワー素子の量産に合わせて、PCIM Europe 2018でプレスカンファレンス(報道機関向け説明会)を開催し、同素子に関する事業戦略を発表した(図12)。

図1 プレスカンファレンスに登壇したInfineonのMetzger氏
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図2 PCIM Europe 2018のInfineonブースに展示されていたGaNパワートランジスタの応用事例
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