今回のコラムは、パワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)が主催する「半導体テスト技術者検定2級(パワーデバイス)」の予想問題として、IGBTのRBSOA(Reverse Bias Safe Operating Area)に関する問題を紹介する(本コラムの詳細はこちら、PDEAについてはこちら、半導体テスト技術者検定の教科書についてはこちら、検定の問題集についてはこちら)。

 IGBTのRBSOAとは、IGBTのターンオフ期間の逆バイアス動作時に絶対に超えてはならない安全動作領域である。検定に合格するには、ぜひ正解しておきたい問題である。

 今回の問題の難易度は、★★★である(本コラムでは紹介する問題の難易度を★の数(難易度に応じて1~5個)で表しており、★の数が多いほど難しい)。標準レベルの問題である。


【問題8】難易度:★★★

インダクタ負荷を持つNch-IGBTのターンオフ期間の安全動作領域を決める特性に関して、以下の中から正しいものを選びなさい。

  • (1)ブレークダウン電圧は、コレクタ電流密度に影響されない。
  • (2)ブレークダウン電圧は、コレクタ電流密度の増大とともに増大する。
  • (3)最大許容コレクタ電流密度は、ターンオフ期間のdVCE/dtに影響されない。
  • (4)最大許容コレクタ電流密度は、ターンオフ期間のdVCE/dtが大きいほど小さくなる。

ここで、VCEはコレクタ-エミッタ間電圧、tは時間である。

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