今回のコラムは、パワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)が主催する「半導体テスト技術者検定2級(パワーデバイス)」の予想問題を紹介する(本コラムの詳細はこちら、PDEAについてはこちら、半導体テスト技術者検定の教科書についてはこちら、検定の問題集についてはこちら)。

 本稿で紹介するのは、半導体技術者検定2級(パワーデバイス)に関する問題の中から、IGBTの中で発生するラッチアップである。これはIGBTを安全に使う上で絶対に発生させてはならない現象である。検定に合格するには、ぜひ正解しておきたい問題である。

 今回の問題の難易度は、★★★である(本コラムでは紹介する問題の難易度を★の数(難易度に応じて1~5個)で表しており、★の数が多いほど難しい)。標準レベルの問題である。

【問題5】難易度:★★★

 図1に示す対称型(ノンパンチスルー)Nch-IGBTのラッチアップ電流密度(ラッチアップを発生させるコレクタ電流密度)を上昇させることに関して、以下の中で正しいものを選びなさい。

図1 対称型Nch-IGBTの断面図

(1)ゲート酸化膜厚を薄くする。
(2)ゲート酸化膜厚を厚くする。
(3)N+エミッタ領域下のP領域のドーピング濃度を下げる。
(4)N+エミッタ領域下のP領域のドーピング濃度を上げる。

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