東芝メモリは、ポスト3D NANDフラッシュメモリーを狙う、T(テラ)ビット級の新型メモリー技術を半導体技術/回路の国際会議「2019 Symposium on VLSI Technology/Circuits(VLSIシンポジウム)」(2019年6月9日~14日:京都)で発表した。Ag(銀)の酸化還元反応を使う抵抗変化型の不揮発性メモリーで、東芝メモリはAgイオンメモリー(Ag Ionic Memory)と呼ぶ。現在は研究レベルにあり、実用化時期は未定である。

発表の様子(写真:日経 xTECH)
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 現在、スマートフォンやサーバーのストレージとして採用されているNANDフラッシュメモリーは、高密度化を狙い、メモリー・セルを3次元方向に積層する3D NAND化を急ピッチで進めている。3D NANDでは、メモリー・セルの積層数を48層、96層と増やすことでメモリーの大容量化を進めているが、積層数を今後どこまで増やしていけるかは歩留まりなどの観点から不透明な部分があるため、メモリー・メーカーは新規のメモリー技術の開発も並行して進めており、今回もその一つである。

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