東芝デバイス&ストレージは、パワー半導体事業について、「安定成長が見込める事業。製品開発や投資を続けていく」(パワーデバイス技師長の川野友広氏)と説明する。まずは、主力となるシリコン製品に重点を置き、特に高性能が要求されるMOSFETとハイパワーに注力する方針だ(図1)。2019年4月19日に同社が開催した技術説明会で明らかにした。

(図1) 東芝デバイス&ストレージのパワーMOSFET製品のサンプル
(撮影:日経Automotive)
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 同社の予測によると、2023年には、ハイパワーのIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)と、高耐圧MOSFET、低耐圧MOSFETの3分野を合わせて、約1.2兆円規模の市場に成長すると見込んでいる(図2)。

 特に市場のけん引要因として期待しているのが電気自動車(EV)向けの需要だ。現状でも既に引き合いは強く、「車載向けパワー半導体では、クリーンルームが建てられるほど、多くの引き合いがある」と川野氏。「今後は中国市場そ含め様々な変動要因を見つつ、投資方針や開発方針を決める予定だ。スピードも速いので乗り遅れないようにしたい」と続けた。

(図2) 東芝デバイス&ストレージが予測するパワー半導体市場規模
(出所:東芝デバイス&ストレージ)
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