伊仏合弁のSTMicroelectronicsは、次世代パワー半導体向けSiC(炭化ケイ素)ウエハーの調達方針をこのほど明らかにした(関連記事1関連記事2関連記事3)。同社はパワー半導体を主力事業として拡大していく計画(図1~2)。業界全体で供給不足の傾向にあるSiCウエハーの調達手段は同社にとって低コスト化技術と並んで重要である。

図1 SiCを200mm化し量産規模を拡大
(図:ST)
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図2 SiC市場は拡大
STはSiCデバイス市場の拡大を見越し供給を拡大する。(図:米IHS Markit)
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 STは、2019年1月に、SiCウエハーメーカーの米Creeから2億5000万米ドル相当の150mm(6インチ)ウエハーの供給を複数年にわたって受ける契約を締結。同年2月には、SiCウエハーメーカーのスウェーデンNostelの過半の株式を取得することで合意している。

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