アナログ半導体大手の伊仏合弁STMicroelectronicsは、大手メモリーメーカーの米Micron Technologyがフラッシュメモリーを生産していたシンガポール工場で、SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)による次世代パワー半導体の量産を2021年にも始める。同社幹部への取材で明らかになった。自動車の電動化などによってパワー半導体市場は拡大を続けており、STは低コスト化と高性能化を両立できる次世代デバイスの量産で需要に応える。同工場は2018年末までに取得を完了。なおMicronは、フラッシュ需要の拡大には、ラインの拡張によらず3次元化で対応する方針であり、工場の増設は必要ではなくなっている(関連記事)。

 STは、イタリアのカターニア(シチリア島)にある工場やフランスのツール工場でパワー半導体を生産している。主力のカターニア工場では、既存のSi(シリコン)ベースのIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)やBCD(バイポーラ、CMOS、DMOS)のデバイスを製造するとともに、次世代半導体の研究開発を進めている(図1)。

図1 カターニア工場で量産中のデバイス
(図:ST)
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