フラッシュメモリーなどに関する世界最大級のイベント「Flash Memory Summit 2018」(2018年8月7日~9日、米国サンタクララ開催)の初日の基調講演に、東芝メモリや韓国SK hynixなどが登壇し、それぞれが自社製品をアピールした注1)。加えて、中国Yangtze Memory Technology社(YMTC)も基調講演に登壇。自社の3D NANDフラッシュメモリーを紹介しつつ、「先行企業をキャッチアップする」(同社 CEOのSimon Yang氏)と意気込んだ。

注1)チュートリアルなどの「プレカンファレンス」は8月6日に実施

 東芝メモリから登壇したのは、同社 SSD応用技術技師長の大島成夫氏である。併設の展示場に出展した新製品を中心に、NANDフラッシュメモリーや同メモリーを搭載したSSD、工場での取り組みを紹介した。

講演する東芝メモリの大島氏
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 3次元(3D) NANDフラッシュメモリーに関しては、米Western Digital(ウエスタンデジタル、WD)との共同開発品で、2018年7月に発表した96層積層の4ビット/セル(QLC:Quatro-Level Cell)品を紹介した(関連記事1)。1チップ(Siダイ)あたり1.33Tビットを実現し、同チップを1パッケージに16段搭載すれば、2.66Tバイトを達成できる。データセンター向けを想定しており、2019年初頭の量産を予定する。

Flash Memory Summitで96層のQLC品を展示
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 加えて、96層積層の3ビット/セル(TLC:Triple-Level Cell)品を搭載するSSD「XG6シリーズ」もアピールした(関連記事2)。従来製品の「XG5シリーズ」に対して性能を高めており、中でも、シーケンシャル書き込み性能を最大2960Mバイト/秒と大幅に高めた点を大きな特徴とする。

「XG6シリーズ」を初展示。写真はパソコンに挿した状態
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 さらに、2018年8月に発表した、インターフェース規格「NVMe over Fabrics(NVMe-oF)」に準拠し、Ethernetに直接接続してデータアクセスできるSSDも紹介(ニュースリリース1)。同SSDを使うことで、NVMe-oF準拠のストレージ装置「JBOF(Just a Bunch of Flash)」(多数のSSDを1つのシャシーに搭載したもの)を簡素化し、コスト削減につながるという。

 このSSDには、米MarvellのNVMe-oF対応のブリッジSoC「88SN2400」を搭載。JBOF向けに、SSDを複数個搭載するためのシャシーはカナダAupera Technologiesが開発した。

NVMe-oF対応SSDを出展
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