米Alpha and Omega Semiconductor社は、新しい高耐圧パワーMOSFET製造プロセス技術「αMOS5」を開発し、この技術を適用した最初の製品「AOTF190A60L」を発表した。同社によると、「αMOS5技術を使えば、前世代のプロセス技術に比べて、単位面積当たりのオン抵抗を30%削減できる。このため、電源回路などの導通損失を減らすことが可能だ」という。最初の製品であるAOTF190A60Lは、+600V耐圧のnチャネル型パワーMOSFETである。フルモールドのTO-220Fパッケージに封止しており、オン抵抗は190mΩ(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの最大値)と低い。サーバーやハイエンドコンピューター、充電ステーション、太陽光発電システム向けマイクロインバーターなどの電源回路に向ける。

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