ルネサス エレクトロニクスは、放射線耐性を備えるGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタ(FET)と、その駆動に向けたゲートドライバーICを発売した。GaNパワートランジスタはnチャネル型での2製品を用意した。1つは耐圧が+100Vで最大ドレイン電流が60Aの「ISL7023SEH」。もう1つは耐圧が+200Vで最大ドレイン電流が7.5Aの「ISL70024SEH」である。どちらも、米Efficient Power Conversion(EPC)社が製造したGaNパワートランジスタのダイ(チップ)を採用しており、それを放射線耐性が高いパッケージに封止した。ゲートドライバーICの型番は「ISL70040SEH」で、上記の2つのGaNパワートランジスタの駆動に使える。ローサイドスイッチの駆動に向ける。具体的な用途としては、打ち上げ機や人工衛星、ダウンホール掘削機、高信頼性が求められる産業機器などに搭載するDC-DCコンバーターを挙げている。

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