三菱電機は、+6.5kV耐圧のフルSiC(炭化ケイ素)パワー半導体モジュールを開発した。これまでフルSiC半導体モジュールで+6.5kV耐圧に対応するには、+3.3V耐圧のモジュールを2つ直列に接続して使用する必要があった。開発品を使えば、1つのモジュールで置き換えられるため、回路構成を大幅に簡素化できる。さらに、+6.5kV耐圧のSiパワー半導体モジュールをフルSiC半導体モジュールに置き換えることで、スイッチング損失を大幅に減らせると同時に、スイッチング周波数の高周波化が可能になるため周辺部品を小型化できる。スイッチング損失はSiパワー半導体モジュールに比べて約1/3に低減でき、スイッチング周波数は約4倍に高められるという。鉄道や電力といった用途に向けたパワーエレクトロニクス機器に向ける。

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