日立製作所と日立金属は、配線幅と配線間隔がそれぞれ2μmと微細な配線層を形成する低温同時焼成セラミック(LTCC:Low Temperature Co-fired Ceramic)パッケージ基板を開発したと2015年12月11日に発表した。LTCCパッケージ基板上でLSIとメモリーを1000本以上の配線で接続することで、現状のパッケージ基板と比較してデータ処理能力を10倍以上に向上させることが可能という。

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