電気・電子系技術者が備えている実力を客観的に把握するために開発された試験「E検定 ~電気・電子系技術検定試験~」(過去のサンプル問題や出題範囲などE検定の詳細はこちら)。E検定で出題される問題例を紹介する本連載の問71は「半導体」の分野から、IGBTの特徴について問う問題である。

【問題を解く意義/理由/効能】

 IGBTの特徴を問う問題です。IGBTの構造と動作を理解することにより、IGBTのデバイスとしての特徴を理解することができるようになります。

【レベル】現場での問題解決に必要な知識(レベル3)

【正答率】29.1%


【問71】
下図はIGBT(insulated-gate bipolar transistor:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の構造と、等価回路を示している。MOSトランジスタでバイポーラトランジスタのベース電流を制御するというデバイス動作である。このデバイスの特徴として間違っているものはどれか。

  •  入力信号を絶縁ゲートに接続するので、入力段の構成が相対的に容易である。
  •  バイポーラトランジスタの伝導度変調効果を利用するのでオン抵抗が低い。
  •  高電圧を支えるのは基板の厚さなので、高耐圧化が比較的容易である。
  •  MOSトランジスタ制御であるため、熱暴走耐性に優れる。

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