Si IGBTに比べて、インバーターといった電力変換器で生じる電力損失を大幅に削減できるSiC MOSFET。だが、SiC MOSFETの潜在力を引き出す上で、「積年の課題」があった。三菱電機はその解決にメドを付けた。低いオン抵抗と長い「短絡許容時間(短絡時に素子が破壊されるまでの時間)」を両立させる、新しい素子構造を開発したのである(発表資料)。

 SiC MOSFETでは、オン抵抗を小さくすると短絡許容時間が短くなり、短絡許容時間を長くするとオン抵抗が大きくなるというトレードオフの関係がある。三菱電機は新構造でこのトレードオフ関係を改善。例えば短絡許容時間が同等の場合、従来構造のSiC MOSFETに比べて、室温時のオン抵抗を約40%低減できる(図1)。

図1 従来構造と新構造のSiC MOSFETを比較した結果。同じ短絡許容時間ならば、オン抵抗を約40%小さくできる(図:三菱電機、以下同)
図1 従来構造と新構造のSiC MOSFETを比較した結果。同じ短絡許容時間ならば、オン抵抗を約40%小さくできる(図:三菱電機、以下同)
[画像のクリックで拡大表示]

この先は有料会員の登録が必要です。今なら有料会員(月額プラン)登録で6月末まで無料!

日経 xTECHには有料記事(有料会員向けまたは定期購読者向け)、無料記事(登録会員向け)、フリー記事(誰でも閲覧可能)があります。有料記事でも、登録会員向け配信期間は登録会員への登録が必要な場合があります。有料会員と登録会員に関するFAQはこちら