韓国Samsung Electronics社の半導体ファウンドリー部門は、2017年9月14日に報道機関向け会見を東京で開催し、プロセスロードマップなどについて説明した。

会見の様子。日本サムソンが撮影。
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 同社は今週初めの9月11日に、11nm FinFETプロセス「11LPP(Low Power Plus)」を発表したばかり(関連記事)。11LPPは14nm FinFETプロセス「14LPP」の改良版(シュリンク版)である。11nmや14nmのプロセスを同社は第1世代のFinFETプロセスと位置付けている。10nm以降が第2世代のFinFETプロセスで、その10nmの最初のプロセス「10LPE(Low-Power Early)」での量産は2016年10月に始まっている。10nm FinFETプロセスの第2弾の「10LPP(Low Power Plus)」については評価は終わり、まもなく量産適用になる。

14/11nmプロセスおよび10nmプロセスの状況。Samsungのスライド。
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 10LPPの改良版が8nm FinFETプロセス「8LPP(Low Power Plus)」である。10LPPと8LPPの関係は、14LPPと11LPPと同じで、10LPPよりも8LPPはチップ面積や性能で優位だとする。早ければ8LPPの量産は2017年中に始まる予定である。この8LPPが、EUVを使わない最後の世代となる。

10nm以下を担うS3ライン。Samsungのスライド。
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