フルSiCに向けた新しいモジュール。右上が「Type1」、右下が「Type2」、左側が「Type3L」である。
フルSiCに向けた新しいモジュール。右上が「Type1」、右下が「Type2」、左側が「Type3L」である。
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 富士電機は、口径150mm(6インチ)のSiC基板を利用して、トレンチ型のSiC MOSFETを開発した。まずは「社内需要」(同社のパワーモジュール)向けで利用する考えで、同MOSFETを採用したパワーモジュールを2017年中に製品化する予定である。「PCIM Europe 2017」に併設されたカンファレンスでは、トレンチ型MOSFETの特性や、同MOSFETを採用した、いわゆる「フルSiC」のパワーモジュールを試作した成果を発表した。

 トレンチ型SiC MOSFETはこれまで、ロームやドイツInfineon Technologies社が製品化してきた。富士電機が製品化を明言するのは今回が初めてである。

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