今回はパワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)が主催する「半導体テスト技術者検定2級」の「設計製造」分野の問題を紹介する(本コラムの詳細はこちら、PDEAについてはこちら、半導体テスト技術者検定の教科書についてはこちら、検定の問題集についてはこちら)。

 今回紹介するのは、EEPROMやフラッシュメモリーなどの書き換え可能な不揮発性メモリーの不良に関する問題である。これらのメモリーでは、何度もデータの書き換えが行われる可能性があり、この機能に関する特性に関してもテストが必要となる。

 今回の問題の難易度は★★★(本コラムでは紹介する問題の難易度を★の数(難易度に応じて1~5個)で表しており、★の数が多いほど難しい)。2級の問題ではあるが比較的優しい問題なので、しっかりと正解してほしい。また、解説も参考にして理解を深めてほしい。

【2級 設計製造】
【問題1】難易度:★★★

 EEPROMやフラッシュメモリーのような不揮発性メモリーに特有の不良は何か、以下の(1)~(4)の中から正しいものを選びなさい。

  • (1)セルスタック
  • (2)セル間干渉
  • (3)消去不良、書き込み不良
  • (4)センスアンプの動作不良

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