インバータやコンバータといった電力変換器でスイッチングに用いるMOSFETやIGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ),ダイオードを意味する。これを,現在主流のSi製素子ではなくGaNやSiCといった化合物半導体を利用した素子に変更しようとする動きが強まっている。Si製素子を使った電力変換器では望めない大幅な効率向上や小型化が見込めるからだ。

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