optical proximity correction

 光近接効果補正。半導体製造時のマスク補正技術の1つで,マスク・パターン上の図形コーナー部などに補正用のパターンを追加する。あらかじめリソグラフィ・シミュレータや実験データを基に定めた補正ルール(形状や補正量)に従い,レイアウト検証ツール(DRC)の図形演算機能などを用いて補正パターンの生成を行う。こうした手法をルール・ベースOPCと呼ぶ。これとは別にモデル・ベースOPCと呼ばれる手法もある。これは,ダイナミックにシミュレーションを行いながら補正パターンを決める方法である。

 チップ上の微細図形の寸法が露光波長と同等以下になりつつある現在,光の近接効果を考慮したマスク・パターンの補正技術が必須となっているためだ。近接効果により,配線が実際より細くなってしまい,最悪の場合には切れてしまう。これを防ぐために,配線を太くするパターンなどをあらかじめ追加しておくといった対策を施す。

 パターンの角が丸くなるのを防ぐ「シェリフ・パターン」や「ハンマーヘッド・パターン」,パターンの線幅変動を補正する「バイアス」などの手法がある。

図 OPCでマスク・パターンを補正
図 OPCでマスク・パターンを補正 Siへの転写パターンが実際より細くなる部分は,あらかじめ太くしておく。 (日経エレクトロニクス1999年2月22日号より抜粋)