2014/07/28 立命館大やMITなど、GaNをグラフェン/Si（100）上に成長させる技術を開発 野澤 哲生＝日経エレクトロニクス スペインGraphenea社は2014年7月25日、立命館大学などと共同で、Si（100）面上にGaN結晶を成長させることに成功したと発表した。 この先は会員の登録が必要です。今なら有料会員（月額プラン）登録で5月末まで無料！ 無料・有料プランを選択お申し込み 会員はこちらログイン 日経 xTECH SPECIAL エレキ 機構部品に替わるタッチセンサーの魅力 マイクロチップ・テクノロジー 先輩エンジニアに訊く。ものづくりの現場 自動車の電動化・自動化の将来像を探る 製造 豪華寝台列車「瑞風」に快適な旅を提供 TOC導入半年で工場在庫を半分に東芝DS 対談：企業の活性化と日本流イノベーション 付加価値ある意匠デザインを実現するものづくり技術 2018 フェル氏が迫る、クボタのエンジンの実力！ エネルギー 高精度な節電配分アルゴリズムを確立 ヘルスケア 重粒子線治療装置による社会貢献 もっと見る
