米Vishay Intertechnology社は、実装面積が2mm×2mmと小さい6端子SO-70パッケージに封止したデュアル構成の20V耐圧パワーMOSFET「SiA936EDJ」を発売した。2個のパワーMOSFETともnチャネル型である。同じ特性の2個の素子を1つのパッケージに封止した。特徴は、実装面積が小さいながらも、オン抵抗が低いことにある。ゲート-ソース間電圧が+4.5Vのときのオン抵抗は34mΩ(最大値)、+2.5Vのときは45mΩ(最大値)である。実装面積の小型化が求められるスマートフォンやタブレット端末、ウエアラブルなヘルスケア機器などの携帯型電子機器に向ける。

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