米Texas Instruments(TI)社は、3端子TO-220パッケージに封止した80V耐圧と100V耐圧のnチャネル型パワーMOSFETを発売した。80V耐圧品の型番は「CSD19506」、100V耐圧品は「CSD19536」である。いずれも同社のパワーMOSFET製品ポートフォリオである「NexFET」に含まれる。特徴は2製品とも、オン抵抗が低いことである。CSD19506は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに2.0mΩ(標準値)。CSD19536はゲート-ソース間電圧が+10Vのときに2.3mΩ(標準値)である。同社によると、「同様の製品の中では、業界で最もオン抵抗が低い」と主張する。スイッチング電源の2次側同期整流器やモーター制御機器などに向ける。

この先は会員の登録が必要です。今なら有料会員(月額プラン)登録で5月末まで無料!