文部科学大臣奨励賞を受賞した富士通セミコンダクターの3氏。左から彦坂氏、三原氏、王氏(写真:富士通セミコンダクター)
文部科学大臣奨励賞を受賞した富士通セミコンダクターの3氏。左から彦坂氏、三原氏、王氏(写真:富士通セミコンダクター)
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 電気科学技術奨励会は、第61回電気科学技術奨励賞にFRAM量産技術を開発した富士通セミコンダクターのエンジニアなど、28件75人を選んだ(発表資料)。文部科学大臣奨励賞を富士通セミコンダクターの三原智氏、彦坂幸信氏、王文生氏が受賞。電気科学技術奨励会会長賞を産業技術総合研究所の柚木彰氏が受賞した。柚木氏は放射能測定技術の普及による国民生活の安全への寄与が評価された。

 電気科学技術奨励賞は、電気科学技術に関する発明や改良、研究、教育などで優れた業績を挙げ、日本の産業の発展や国民生活の向上に寄与し、今後も成果が期待できる人を表彰するもの。1952年に科学技術関連の出版社であるオーム社(千代田区神田)が創設し、1962年から電気科学技術奨励会が継承した。

 今回はこのほか、ロバスト・アクティブ制震技術を用いた三菱電機の世界最高速のエレベータや、東芝が開発した垂直磁気記録用のCoPt-SiO2グラニュラー媒体、パナソニックの部品縦埋め技術を用いたBGA電流プローブの開発とLSI実装設計への適用・実用化などにかかわった技術者らが受賞している(受賞項目:PDF)。