九州大学と半導体センサ開発のアイアールスペックは、化合物基板とSi基板など異種基板をアレイ状バンプで高信頼に常温接合する技術を開発した。InGaAsフォトダイオードで作製した256×320画素の裏面照射型の近赤外イメージ・センサ基板と、Si製の信号処理回路基板を各画素に設けたバンプで接合させる。超音波で加振して常温接合を実現している。高温処理が不要なため、熱膨張率の違いによるずれや応力が生じない。

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