独Infineon Technologies社は、ミリ波帯に向けたSiGe(シリコン・ゲルマニウム)トランシーバIC「BGTx0」を開発し、2013年9月にサンプル出荷を始めると発表した。量産は2013年末に開始する予定だ。LTEや4G(第4世代)に対応した無線基地局と、コア・ネットワークを接続するバックホールに向ける。データ伝送速度は1Gビット/秒を超えるとする。

この先は会員の登録が必要です。今なら有料会員(月額プラン)登録で5月末まで無料!