日立製作所 中央研究所は、2013年3月27~30日に開催された「第60回 応用物理学会春季学術研究会」内のセッション「SiCパワーエレクトロニクス技術の最前線」において、同社が開発を進めるSiC JFETについて講演した。SiCのパワー・トランジスタには、JFETの他にMOSFETがある。SiC MOSFETに対するJFETの利点として、移動度が高く、オン抵抗が小さいこと、MOSFETのような酸化膜がないので、酸化膜に起因する信頼性の問題がないことを挙げた。

この先は有料会員の登録が必要です。今なら有料会員(月額プラン)登録で5月末まで無料!

日経 xTECHには有料記事(有料会員向けまたは定期購読者向け)、無料記事(登録会員向け)、フリー記事(誰でも閲覧可能)があります。有料会員と登録会員に関するFAQはこちら