米GLOBALFOUNDRIES社は、「Common Platform Technology Forum 2013」(2月5日に米カリフォルニア州Santa Claraで開催)において、14nmのFinFETプロセス(14nm-XM)の評価結果を発表した。28nmの超低消費電力プロセス「28nm-SLP」を使った場合に比べて、同じ設計のエネルギー効率を2倍に向上できることが分かったという。

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