半導体プロセスの微細化に伴い、設計上の特性値とシリコン上での特性値に大きな乖離がでてきた。この乖離は、高機能・複雑になる設計で考慮すべきコーナー条件が増え、かつ、設計値に占める「考慮すべき製造バラつき値」の割合が、大きくなってきたために起こる。

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