完全空乏型SOI(FD-SOI)に関する発表は、ここ数年活発であり、今回の「2012 Symposium on VLSI Technology」でも、セッションT13「Ultra-Thin Body Devices」とセッションT15「CMOS Platform」で6件の発表があった。特性ばらつきの問題により、28~14nm世代でバルクCMOSに代わるトランジスタ構造として、FD-SOIはFinFETと並んで有力視されている。

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