「2012 Symposium on VLSI Circuits」のTechnology/Circuit Joint Focus SessionであるSession 8「Advanced SRAM」では、4件の発表があった。現在量産プロセスとしては最先端である、28nm世代のHigh-K Metal-Gate(HKMG)技術を用いたスマートフォン向けSRAMに関する論文が多数を占めた。議論されたのは、常温時のリーク電流や低電圧動作などの技術課題である。

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