「2012 Symposium on VLSI Technology」のセッションT14「Novel Passive and Active BEOL Technologies」では、ルネサス エレクトロニクスが多層配線に埋め込めるIGZO(InGaZnO)トランジスタを用いてインバータ回路を形成し、動作を確認した結果について報告した。講演タイトルは、「Operation of Functional Circuit Elements using BEOL-Transistor with InGaZnO Channel for On-chip High/Low Voltage Bridging I/Os and High-Current Switches」である[講演番号:T-14.3]。

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