2007年の「IEDM」で米Intel社が発表した45nm世代high-k/メタル・ゲートは、主としてトランジスタのしきい値制御のために大変複雑な積層構造になっていたが、その設計の意図は明かされなかった。従来、しきい値は、ゲート絶縁膜直上の電極材料に支配されるとされてきたが、実際にはさらに上層からの金属の拡散や、酸素のやり取りなども複雑に絡んでくる。開発がデバイス・メーカー間の競合段階に入ると、詳細が発表されにくい傾向にあるが、今回の「2012 Symposium on VLSI Technology」のセッション4では、そのような積層構造によるしきい値制御が、すでに定着した技術として他社の発表の中で議論されており、技術の浸透が感じられた。

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