DRAMやSRAMといった既存のワークメモリは、微細化することで電力増大などの多くの問題が指摘されており、それらに変わる新たな不揮発性メモリの実用化が求められている。「2012 Symposium on VLSI Technology」のセッション7では、高速動作や無制限書き換えが可能なSTT-MRAM(スピン注入磁化反転型MRAM)の発表が大きな注目を集めた。

ここからは会員の登録が必要です。