ロームは、耐圧1200VのSiC製MOSFETの第2世代製品を発表した。同社第1世代品と比較して、信頼性を高めたことや単位面積当たりのオン抵抗を低減したこと、SiC製ショットキー・バリア・ダイオード(SBD)を1パッケージに封止した品種を新たに準備したことが特徴である。

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