中央大学 理工学部 電気電子情報通信工学科 教授の竹内健氏らの研究グループは、高速な書き換えが可能なReRAM(抵抗変化型メモリ)と大容量のNANDフラッシュ・メモリを組み合わせたハイブリッド構造のSSDアーキテクチャを開発した。NANDフラッシュ・メモリのみを用いた従来のSSDに比べて、書き込み性能を11倍、消費電力を93%減、書き換え寿命を6.9倍にできるという。2012年6月13~15日に米国ハワイで開催される「2012 Symposium on VLSI Circuits」で発表する[講演番号:C-16.3]。

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