ルネサス エレクトロニクスは、動作状態にあるMOSFETの断面電位分布を直接観察できる技術を開発した。この技術を使い、ゲート長が30nmを切る微細MOSFETにおいて、ゲート電圧を印加した際にチャネルが形成される様子を「世界で初めて可視化した」(同社)という。2011年12月5~7日に米国ワシントンDCで開催される「International Electron Devices Meeting(IEDM 2011)」で発表する[講演番号6.2]。

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