東京大学 大学院 工学系研究科 電気系工学専攻 教授の高木信一氏らのグループは,産業技術総合研究所,住友化学と共同で,III-V族化合物半導体をチャネルに用いたMOSFETに,自己整合プロセスによってメタル・ソース・ドレインを形成する手法を開発した(講演番号26.6)。III-V族チャネルMOSFETの技術課題となっていた,ソース・ドレインの低抵抗化をもたらす成果である。

この先は会員の登録が必要です。今なら有料会員(月額プラン)登録で6月末まで無料!