米Innovative Silicon Inc.は2005年1月24日,既存の混載DRAMに比べて2倍に高密度化できる論理LSI混載用揮発性メモリ「Z-RAM」に関する説明会を都内で開催した。Z-RAMの「Z」は「Zero capacitor」の意味で,キャパシタを利用しないでデータを保持することが特徴。SOI基板上に形成したトランジスタ1個でメモリ・セルを構成する。

ここからは会員の登録が必要です。