素子分離プロセスとは,「各素子間の不要な相互作用を防ぐプロセス」です。ここではSi基板の上に素子分離帯を作る流れについて説明します。素子分離のプロセスは,主にLOCOS法(local oxidation of silicon:Siを部分的に酸化する方法)とSTI法(shallow trench isolation:浅い溝を使った分離方法)があります。

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