韓国Samsung Electronics社は3次元NANDフラッシュメモリー「Vertical NAND(V-NAND)」について「International Solid-State Circuits Conference(ISSCC)2014」(2014年2月9~13日、米国サンフランシスコ)で発表した[講演番号19.5]。メモリーセル層を24層積み重ねたMLC品で、1チップで128Gビットの容量を持つ。

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