会場のWashington Hilton
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ショート・コースの様子
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 半導体デバイス技術に関する世界最大規模の国際会議「International Electron Devices Meeting(IEDM)2013」(2013年12月9~11日、米国ワシントンD.C.)が米国時間の明日、2013年12月9日に開幕する。登録者数は会期前日の12月8日午前時点で1260人。会期を通じて1400~1500人の参加を見込んでいる。前回ワシントンD.C.で開催された「IEDM 2011」の参加者数は1465人で、これとほぼ同等になる見通しだ。

 開幕に先立ち、12月8日には二つのショート・コースが開催された。一つは、10~7nm世代のCMOS技術を議論する「Challenges of 10nm and 7nm CMOS Technologies」で、登録者数は330人。伊仏STMicroelectronics社や米GLOBALFOUNDRIES社、ベルギーIMECなどから講師が登壇した。もう一つは、トンネルFETやスピントロ二クスなどの“Beyond CMOS”技術を議論する「Beyond CMOS: Emerging Materials and Devices」。登録者数は232人で、米Intel社や米IBM社などの技術者が講師を務めた。

 会場で配布されたプログラムでは、恒例の「Late News」の内容が明らかにされた。今回は次の3件である。IBM社は多段構成の高速グラフェン・レシーバIC技術を披露する(講演番号19.9)。イタリアPolitecnico di Milano and IU.NETと米Micron Technology社などのグループは、相変化メモリ(PCM)アレイにおけるデータ保持特性の統計的解析の結果を報告する(同21.7)。シンガポールNational University of Singaporeと台湾TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)のグループは、10nm以降の技術世代に向けた高性能Ge CMOS技術について発表する(同26.7)。

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