日産自動車は、ダイオードを内蔵した耐圧600VのSiC MOSFETを試作し、その特性などについて、SiC関連の国際学会「ICSCRM 2013」で発表した(講演番号:Mo-1A-3)。試作品は、アバランシェ耐性が高いとされる「HJD(ヘテロジャンクション・ダイオード)」を備える。今回の試作品は、「コンタクトを取りやすいなど、作りやすいのが特徴」(日産自動車の研究グループのメンバー)とする。MOSFET部分も、HDJ部分も溝(トレンチ)を設けており、その溝に多結晶Si(ポリシリコン)を埋めている。

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